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泡克尔斯盒

1. 简介:

普克尔斯盒(Pockels Cells)是利用普克尔斯效应(Pockels effect)的重要电光器件。在电光晶体上施加恒定或变化的电压(电场),可使晶体的双折射特性发生线性变化。施加恒定电压的普克尔斯盒实际上相当于一个电压控制的波片;而当施加变化的电压时,普克尔斯盒则能改变晶体的相位延迟。普克尔斯盒是多种光学器件(如激光器中的调Q开关和电光调制器)的基本组件,对于激光调Q等应用至关重要。

电光普克尔斯盒常用于需要快速切换光束偏振方向的场合。其典型应用包括激光谐振腔的调Q、光束在再生放大器中的耦合进出,以及与一对偏振片配合使用时的光强调制。

 

图1 Shalom EO 的普克尔斯盒

 

指南:

泡克耳斯效应

半波电压

纵向器件与横向器件

泡克耳斯盒的工作原理

 

 

 

 

 

 

 

2. 泡克耳斯效应:

这是一种电光效应。某些晶体在电场作用下会产生额外的双折射现象,其折射率的变化与所施加电场的大小成正比。德国物理学家 F. Pockels 于 1893 年首次研究了这种线性电光效应,该效应也因此得名。
然而,这种效应仅出现在缺乏反演对称性的晶体中(例如铌酸锂 [LiNbO3]、钽酸锂 [LiTaO3]、硼酸钡 [BBO] 和砷化镓 [GaAs] 等),或者存在于其他非中心对称介质(如经电场极化的聚合物和玻璃)中。

3. 半波电压
泡克耳斯盒(Pockels cell)的一个重要特性是半波电压 $U_\pi$(也称为 $U_{\lambda/2}$ 或 $V_{\lambda/2}$)。这是产生 $\pi$ 相位变化(相当于半个光波长)所需的电压。在幅度调制器中,施加的电压必须改变这一数值,才能使器件从透射率最低的工作点切换到透射率最高的工作点。

为了更直接的演示,下面是 β BBO 晶体半电压的方程:

 

其中 λ = 光波长
            d=电极间距
            L=光程
            r22 = 电光系数
         no = 普通折射率

典型的泡克耳斯盒(Pockels cell)半波电压高达数百甚至数千伏,因此需要高压放大器来实现较大的调制深度。对于具有强非线性特性的晶体材料(如 LiNbO3),其半波电压相对较低;而对于电极间距较小的集成光学调制器,问题则在于此类器件的功率承受能力相对较弱。

4. 纵向装置与横向装置

 

简而言之,纵向器件是设计为光传播和电场之间具有相同方向的器件。
横向器件的光传播方向垂直于电场方向。

 

 

纵向电光调制

横向电光调制

 

纵向调制器的半波电压与晶体尺寸无关;而横向调制器的半波电压则与光程长度和晶体厚度(电极间距)之比成反比。

根据上述表述,我们可以推导出纵向和横向器件的特性:

纵向器件:

  • 电极需要安装在透光面上;为了不影响光的传播,电极需制成特殊形状。
  • 相位延迟量与晶体长度无关,因此无法通过增加晶体长度来降低半波电压。

横向装置:

  • 它可以增加材料的长度并减小厚度,从而降低斑驳电压。
  • 缺点是相移是由自然双折射引起的,并且对温度敏感。

5. 普克尔斯盒的工作原理

 

  • 这里简要展示了电光调Q开关的工作原理。我们假设该晶体在未施加电场时无双折射效应
  • 在增益介质与全反射镜之间放置起偏器和普克尔斯盒(Pockels cell)。起偏器的放置角度需确保在未施加电压时实现 100% 的透射(忽略少量寄生损耗)。
  • 向普克尔斯盒施加适当的电压,使透射光的偏振面旋转 45°。
  • 光线经反射镜反射后再次穿过普克尔斯盒,偏振面又旋转 45°。此时,光线无法通过起偏器,导致谐振腔内的 Q 值极低。
  • 快速切断电压,谐振腔内的 Q 值骤升,从而产生巨脉冲激光输出。

随着电压的变化,透射率在 0% 和 100% 之间切换,从而产生脉冲。电光开关必须与泵浦源保持同步。电光开关具有高速特性,且切换时刻可被精确控制;不过,其切换性能取决于电光晶体的种类与质量。通常,电压是在零值与半波电压之间进行调节,尽管原则上也可以在 −Uπ/2 和 +Uπ/2 之间进行调节。

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